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Puzzle en ligne commun

Un montage amplificateur à émetteur commun est en électronique l'une des trois configurations élémentaires pour l'amplification d'un transistor bipolaire. Les deux autres se nomment base commune et collecteur commun.

Dans ce montage l'émetteur (indiquée par une flèche) est relié à la masse commune ou à une tension de référence, alors que la base du transistor est reliée à l'entrée et le collecteur à la charge de sortie. Le circuit analogue utilisant un transistor à effet de champ se nomme montage amplificateur à source commune.

Explications du circuit

Ce circuit peut être qualifié d'émetteur commun car le condensateur de découplage CE est choisi de façon à présenter une impédance assez faible, lors d'une étude en petits signaux, pour court-circuiter la résistance RE. La présence de la capacité de découplage CE permet d'augmenter significativement le gain du montage, mais en contrepartie le circuit a de plus faibles impédances d'entrée et de sortie.

La résistance d'émetteur RE permet de créer une sorte de contre-réaction appelée dégénération de l'émetteur qui assure de bonnes caractéristiques de stabilité et de linéarité du circuit, notamment en réponse aux variations de température.

Dans le cas où le condensateur de découplage à l'émetteur CE est absent, l'impédance de RE réduit la transconductance globale

G

m

=

g

m

{\displaystyle G_{m}=g_{m}}

de ce circuit par un facteur

(

g

m

.

R

E

+

1

)

{\displaystyle (g_{m}.R_{\text{E}}+1)}

. Ainsi le gain en tension s'exprime par

A

v

≜

v

out

v

in

=

−

g

m

R

C

g

m

R

E

+

1

≈

−

R

C

R

E

(

avec

g

m

R

E

≫

1

)

.

{\displaystyle A_{\text{v}}\triangleq {\frac {v_{\text{out}}}{v_{\text{in}}}}={\frac {-g_{m}R_{\text{C}}}{g_{m}R_{\text{E}}+1}}\approx -{\frac {R_{\text{C}}}{R_{\text{E}}}}\qquad ({\text{avec}}\quad g_{m}R_{\text{E}}\gg 1).\,}

Dans l'autre cas, si CE est présent le gain en amplification devient:

A

v

≈

R

C

r

e

′

{\displaystyle A_{\text{v}}\approx {\frac {R_{C}}{r_{e}'}}}

re' étant la résistance intrinsèque de la jonction base émetteur du transistor.